30 mld tranzystorów w niewielkim układzie. IBM poinformowało, że wspólnie z firmami GlobalFoundries i Samsung, przygotowało pierwszy na świecie procesor wykonany w litografii 5 nm. Podobnie jak w przypadku pokazanego niespełna dwa lata wcześniej chipu w 7 nm, wykorzystano technikę EUV. Firmy liczą, że dzięki temu osiągnięciu będą w stanie w niedługim czasie opracować jeszcze bardziej zaawansowane procesy technologiczne.
Przy tworzeniu procesora IBM wykorzystało strukturę krzemowych nanoarkuszy, ułożonych warstwami. Rozwiązanie to ma oferować właściwości elektryczne przewyższające te znane z architektury FinFET. Co więcej, ze względu na możliwość szczegółowego dostosowania odległości ułożenia nanoarkuszy, producenci będą mieli możliwość lepszej regulacji wydajności i poboru energii już na poziomie poszczególnych obwodów. Jak podaje IBM, w przypadku standardowego FinFET nie jest to możliwe.Litografia 5 nm w porównaniu do 10 nm ma oferować do 40 procent wyższą wydajność przy tym samym poborze energii lub o 75 procent niższy apetyt na prąd przy identycznej wydajności. Dodatkowo zastosowanie nowej architektury ma pozwolić na dalsze zmniejszanie procesów produkcyjnych w przyszłości. IBM nie udostępnia jednak informacji, do jakiej litografii będzie można zejść.Partnerzy IBM zrzeszeni w Research Alliance są zadowoleni z osiągniętych rezultatów. Przedstawiciele GlobalFoundries zapewniają, że inwestują sporo środków w rozwój procesów produkcyjnych i mają w planach dalsze prace nad usprawnieniem procesu 5 nm, po komercjalizacji litografii 7 nm w 2018 roku. Zaprezentowana przez IBM technologia ma sprawdzić się szczególnie dobrze w przypadku chipów dla Internetu Rzeczy, systemów uczenia maszynowego, procesorów serwerowych i układów dla urządzeń mobilnych/noszonych.